檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "Kinetic".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="李嘉平"
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本研究以自行合成的有機金屬化合物((BTMSA)CuI)2(C2O4)作為先驅物,使用NMR與IR來確定先驅物的鍵結結構確實為((BTMSA)CuI)2(C2O4),並藉由TGA與DTA分析出先驅物…
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本研究以有機金屬化合物CuII(OCHMeCH2NEt2)2為先驅物的化學氣相沈積系統探討金屬銅薄膜的材料分析。藉由調整沈積溫度及沈積時間,探討成長出高純度且具有良好之平坦度、緻密性、連續性及低電阻…
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銅與銀是目前電子工業中常使用的金屬基材材料,純錫、錫-3.0wt.%銀-0.5wt.%銅、錫-58.0wt.%鉍、錫-9.0wt.%鋅為最具潛力的無鉛銲錫合金。故本研究針對構裝製程中常使用的銅、銀金…
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本研究以先驅物(hfac)CuI(COD)在不同的TaNx阻障層上,利用化學氣相沉積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)進行沉積銅晶種層(Seed l…
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本文研究以實驗觀察的方法來決定Sn-Sb-Ag 三元系統在400℃、260℃、150℃的等溫截面相圖,實驗結果顯示 Sn-Sb-Ag系統不存在三元化合物,有二個完全互溶的區域,其中一個為Ag3Sn及…